据科技网站PhoneArena报道，三星今天发布了全球第一款8千兆字节（Gb）的低功耗双倍数据速率4（LPDDR4）移动DRAM。这款新产品采用20纳米制作工艺，每个冲模有1GB的容量，达到了市面上的最高密度水平。此外，三星表示新品的功耗被控制在了较低水平，4个独立的8Gb芯片可以封装成1个4GB内存，在智能手机和其他设备上使用。

8Gb LPDDR4移动DRAM支持更快的应用和更高分辨率的屏幕，让电池寿命更长，同时还能给设备带来更多的功能。新的低电压摆幅中断逻辑（LVSTL）接口，提供了3200MBPs的传输速率，是目前正在量产中、同样采用20纳米工艺LPDDR3移动DRAM的两倍。与目前速度最快的DDR3存储芯片相比，性能也提升了50%，因为采用的是1.1伏的低耗电结构，它还节省了40%的功耗。

8Gb LPDDR4移动DRAM将在明年出货，届时会被使用在一些高端产品中。