蓝色巨人IBM公司与日本的TDK公司联合,开发一种被称为STT-RAM的磁性型内存芯片技术,预计采用0.065微米工艺的原型产品将在未来的4年内开发出来.
  在STT-RAM中,加到磁铁上的电流将会改变磁场的方向,磁场方向的改变将会引进阻抗的变化,不同的阻抗代表“1”或“0”.  目前,硅谷的一家新创公司Grandis也正在试图推出商业性STT-RAM产品.Grandis公司正在为潜在客户生产样品芯片,预计到明年底正式在市场上推出相应的产品.

  IBM公司以前一直在开发一种名为MRAM的更为传统类型的磁性内存.然而,公司却在缩小这类芯片的晶体管时遇阻.据IBM公司非挥发性内存研究部门的高级经理盖拉尔表示,当你在使MRAM芯片更小时,就需要提高磁场强度,继续写数据,这样会变得不切实际.因此,要采用比0.065微米工艺更先进的工艺,目前我们不得不需要找到一种写数据的新机制.IBM公司尽管已经生产出了MRAM原型产品,但它使用的是一种较为落后的工艺.IBM公司还没有推出商品化的MRAM产品.

  尽管飞思卡尔半导体公司已经发布了商品化MRAM,然而,它最近却对这种技术的“寿命”表示质疑.据飞思卡尔半导体公司的大卫在上周的“闪存峰会”上表示:MRAM很可能会不适用于比0.065微米更先进的工艺.然而,据盖拉尔表示,STT-RAM和相变内存可能是未来非挥发性内存的两种潜在的技术.他认为STT-RAM的的寿命可能会更长些.