目前高端旗舰手机采用的闪存芯片大都是eMMC 5.0规范的产品，速度足够快，但可惜还是要落伍了。 在eMMC 5.0之上，还有速度更快的UFS标准，它支持“命令队列（Command Queue）”技术，常用于固态硬盘中，通过串行接口加快命令执行速度，与采用8位并行接口的eMMC标准相比，数据处理速度得到大幅提高。三星今天宣布推出了业内首款UFS 2.0标准的128GB闪存芯片，随机读取速度达到19000 IOPS，是eMMC 5.0的2.7倍（7000 IOPS），随机写入速率高达14000 IOPS，是一般外置存储卡的28倍。

持续读写速度方面，三星没有公布具体的数据，但表示已经接近普通SSD的水平了，同时功耗能降低50%。

才外，该闪存还采用了嵌入式堆叠封装（ePoP)技术，可直接堆叠在逻辑芯片上，节省约50%的空间。

该闪存有32、64以及128GB三种容量可选，传统的16GB已经不见踪影了。可以预见的是，它未来很有可能成为旗舰产品的标配（处理器需要支持UFS标准），在即将到来的Galaxy S6上我们很有希望看到它。