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[图]存储性能测试:三星Galaxy S6 / S6 Edge大幅领先
发布日期:2015-03-06 10:34:31  稿源:cnBeta.COM

在Galaxy S6和S6 Edge发布前,尽管网络上曝光了大量的内容,但是大家对于该机的期望似乎都不算太高。而在新机的GeekBench跑分结果出来之后,笑傲江湖的Exynos 7420终于改变了人们的一些看法。其实除了圆滑时尚的设计,6系新机在内部组件上也有着巨大的进步,比如7420这颗新八核处理器、以及UFS 2.0存储技术。

在早前的GeekBench多核性能基准测试中,配备了Exynos 7420的Galaxy S6已经战翻了配备骁龙810、805、以及Nvidia Tegra K1 Denver等SoC的诸多机型。

那么,在其它项目中,Galaxy S6 / S6 Edge又有什么样的表现呢?下面就是PhoneArena为我们带来的更多基准测试项目。

由图可知,在AndroBench的随机读取测试中(得分越高越好),Galaxy S6 / S6 Edge达到了惊人的77.2分。而排名第三到第五的三星Galaxy Note、LG G3、以及索尼Xperia Z3,则只有20.56、15.71、以及14.78分左右。

其次,在AndroBench的顺序写入测试中(得分越高越好),两款S6更是达到了139.08分的高分。而三星Galaxy、LG G3、以及索尼Xperia Z3则分别只有34.26、22.29、以及44.43分。

最后,在AndroBench的顺序读取测试中(得分越高越好),三星6系双机也是达到了逆天的314.87分。而自家Note 4、LG G3、索尼Xperia Z3则只有147.05、164.08、以及217.17分。

[编译自:BGR , 来源:PhoneArena]

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