日前，最新来自网上的爆料显示，Nvidia 现任高端显卡的 Maxwell 架构 GPU 核心 GM200 的继任者 GP100 已开始有蛛丝马迹浮出水面，据称下一代新的 Pascal（帕斯卡尔）架构 GPU 集成的晶体管数将是现 Titan X 内部 Maxwell 架构的两倍还多。

FinFET 工艺下内核堆了 170 亿晶体管

众所周知，Nvidia  GTX Titan X 的大核心仅内置高达 80 亿个晶体管，但如果消息属实，那么 Pascal 核心将上升至非常夸张的 170 亿个。消息表示，Nvidia 设计的新一代 Pascal 架构 GPU 将交由台积电（TSMC）制造，不过已经开始采用最新的 FinFET 16nm 工艺制程，正是得益于新工艺，GPU 不仅增加了一倍的晶体管数量，而且芯片尺寸小了很多。

拥有更先进几何布局的 FinFET 工艺的固有增益很高，能够很好的控制晶体管特性。结果就是可以开发性能更好的电路，而且 FinFET 还有诸多的好处。例如，输出电流较小。说实话，AMD 的下一代显卡也交由台积电制造，并且最近台积电可谓如鱼得水，对外声称即将在 2016 年推进 10nm 的制造工艺，因此我们期待未来两年内芯片新能的大幅提升。不过，在 AMD 和 Nvidia 的显卡线路图中，至少要等到 2017 年才会推出 10nm 工艺的 GPU 核心，甚至可能还会依靠 14nm FinFET 工艺进行过渡。

Pascal 在 2016 年登场

除了最新工艺的 Pascal 架构 GPU 之外，Nvidia 也将在新的旗舰显卡上使用第二代高带宽 HBM 显存（目前 AMD 是第一代），由储存厂商海力士提供，显存容量可高达 32GB。第二代 HBM 显存每个 DRAM Die 容量达到8Gb(1GB)，速率也提升到了 2Gbps，带宽 256GB/s，4Hi 堆栈容量可达 4GB，8Hi 堆栈则可以达到 8GB 容量。

相比之下，AMD R9 Fury X 使用的第一代 HBM 显存每个 DRAM Die的 容量是 2Gb，速率 1Gbps，4Hi 堆栈的容量是1GB。正因为第二代 HBM 显存堆栈层数足够，单颗芯片容量随意可以堆出 1GB 及 8GB 的容量，只就算配 4 颗显存芯片，其显存容量也能轻松达到 16GB、32GB，所以 GP100 核心旗舰配备 32GB 的显存也不足为奇。

话说回来，传闻 GPU GP100 核心将有两个版本，其中一款是消费级旗舰显卡 GeForce GTX 1080 ，另一款为专业级显卡，可能只有 Quadro、Tesla 这类专业显卡用上 32GB 的大显存。预计 Nvidia 将在 明年第一季度召开发布会，正式发布 Pascal 显卡。