东芝闪存这两天好嗨啊。全球第一个做到48层堆叠、单Die容量256Gb之后，今天又宣布利用TSV硅穿孔技术，开发出全球第一个16 Die堆叠NAND闪存。两项技术相结合，意味着一颗闪存芯片的容量可以达到256×16÷8＝512GB！四颗就能轻松搞定2TB固态硬盘！不过现阶段，东芝还没能将二者融为一体，这里使用的每一颗Die容量为128Gb，但即便如此，单颗闪存容量也能有256GB，四颗就可以1TB，八颗即可2TB。

同时，东芝还提供了8 Die堆叠版本，单颗容量也可达128GB。

东芝介绍说，此前的堆叠闪存都是借助封装内引线接合(wire bonding)实现的，TSV技术则使用垂直电极和通道，打通各个硅芯片来实现连接，可以大大提高数据的输入输出，并降低功耗。

东芝的这种TSV立体堆叠闪存还支持Toggle DDR界面，I/O数据率可以超过1Gbps，电压也十分低：核心电路仅1.8V，I/O电路更是只有1.2V，因此读写和I/O数据传输的功耗可以降低大约50％。

东芝表示，这种新闪存延迟低、带宽高、能效高，尤其适合高端企业级SSD。

不过东芝并未透露何时能够出货，估计还得一段时间，毕竟只是刚刚开发出来。