这一设计使用了16个DRAM通道,每个通道都可以直接连接到多核心处理器组,速度传输率16Gbps,每个时钟周期传送4bytes数据,这样的带宽就超过了1024Gb,该产品采用了65纳米工艺制造.
这意味着它的单通道速度就可以达到64GB/s,这一技术将在11月28日在东京Rambus Developer Forum上被正式公布.
为多核做好准备 Rambus推出TB级传输能力的存储芯片
发布日期:2007-11-26 16:21:06
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Rambus将在周三公布一款为未来多核心架构准备的,全新的TB级带宽的多核心存储芯片结构.
这一设计使用了16个DRAM通道,每个通道都可以直接连接到多核心处理器组,速度传输率16Gbps,每个时钟周期传送4bytes数据,这样的带宽就超过了1024Gb,该产品采用了65纳米工艺制造.
这意味着它的单通道速度就可以达到64GB/s,这一技术将在11月28日在东京Rambus Developer Forum上被正式公布.
这一设计使用了16个DRAM通道,每个通道都可以直接连接到多核心处理器组,速度传输率16Gbps,每个时钟周期传送4bytes数据,这样的带宽就超过了1024Gb,该产品采用了65纳米工艺制造.
这意味着它的单通道速度就可以达到64GB/s,这一技术将在11月28日在东京Rambus Developer Forum上被正式公布.
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