2014年8月底，三星电子宣布量产全球第一款采用3D TSV立体硅穿孔封装技术打造的DDR4内存条，单条容量高达64GB。一年多后，三星将这一容量翻了一番，开始量产128GB TSV DDR4内存条。新内存依然是面向企业级服务器市场的RDIMM类型条子，使用了多达144颗DDR4内芯片，每一颗容量8Gb(1GB)，然后每四颗芯片利用TSV技术紧密封装在一起，总计36个组，分布在内存条两侧。

制造工艺是三星最先进的20nm，起步频率2400MHz，接下来将逐步提升到2667MHz、3200MHz。

另外，三星还会把TSV硅穿孔技术应用到HBM高带宽内存中。