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Intel, Micron 公布速度快五倍的NAND Flash
发布日期:2008-02-02 08:20:02  稿源：
英特尔与镁光把NAND快闪记忆体的性能提高到了一个新的水平,新版芯片可比现在的NAND快闪快5倍!
新的技术类似于DDR的传输模式,实现了更高频率,拥有200MB/s的读取和100MB/s的写入能力,而目前的NAND的数据只有40MB/s和20MB/s.
镁光将帮助英特尔生产目前世界上速度最快的芯片,该产品将被加入消费电子和电脑设备中.
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