日本东芝公司和美国SanDisk公司日前宣布合作开发出高密度NAND闪存,并计划分别于年内开始批量生产相关产品。
两家公司7日发布的新闻公报说,它们已利用43纳米工艺开发出新型16吉比特NAND闪存,其密度与利用56纳米工艺生产的同等容量NAND闪存相比要高出一倍,这意味着闪存芯片的面积可显着缩小,从而能够降低有关成本。 据悉,两家公司在开发高密度NAND闪存生产工艺的过程中,采用了一些新技术并调整了有关外围电路的设计,从而大幅度缩减了芯片的面积。
东芝公司打算今年3月开始批量生产新型16吉比特NAND闪存,然后于7月到9月间批量生产32吉比特的产品。SanDisk公司则计划于今年第二季度生产和发售这两种不同容量的新型NAND闪存。