这款设备主要将用于富移动电子设备,批产时间预计在2008年第二季度.
镁光宣称该产品可以有效提高移动设备的性能,并将大大加强其对视频的处理能力.镁光还计划推出包含NAND部件的512Mb移动DRAM,并提供多芯片封装和(MCP)捆绑设备(POP).
镁光公布400Mb/s的移动DRAM芯片
发布日期:2008-02-13 07:43:24
稿源：
美光今日公布了其512Mb移动DRAM产品的样品,它的时钟频率最高可工作在200MHz下,传输率可达400Mb/s,可工作在-40-95摄氏度的极端温度下.
这款设备主要将用于富移动电子设备,批产时间预计在2008年第二季度.
镁光宣称该产品可以有效提高移动设备的性能,并将大大加强其对视频的处理能力.镁光还计划推出包含NAND部件的512Mb移动DRAM,并提供多芯片封装和(MCP)捆绑设备(POP).
这款设备主要将用于富移动电子设备,批产时间预计在2008年第二季度.
镁光宣称该产品可以有效提高移动设备的性能,并将大大加强其对视频的处理能力.镁光还计划推出包含NAND部件的512Mb移动DRAM,并提供多芯片封装和(MCP)捆绑设备(POP).
加载中...
加载中...
© 2003-2025