当前，GlobalFoundries在使用14nm FinFET工艺为AMD代工“北极星”（Polaris）架构的GPU，但这只是该工厂在使用的多种制程之一。此外，GlobalFoundries也在努力整合22nm平面晶体管和全耗尽型硅绝缘工艺（FD-SOI），其自称为“22FDX”。GlobalFoundries表示，22FDX非常适合于那些想要在高性能和低成本低功耗间取得平衡的设备，尤其是需要在单芯片上整合RF、模拟、内存和逻辑设备的产品。

显然，22FDX已经取得了很大的成功，以至于FloFo于今日宣布要为FD-SOI路线图加入一个新的节点——12nm FD-SOI（或称12FDX）。

GloFo称，12FDX能带来10-nm FinFET晶体管的性能、更好的能耗表现、以及比16-nm FinFET更低的成本。

它还强调，12FDX是一个完整的节点缩减，较今时的FinFET技术提升了15%的性能，以及低至50%的能源消耗。

该公司准备在德国德累斯顿的Fab 1工厂生产12-nm FD-SOI晶体管，预计采用新工艺的处理器会在2019年上半年面世。

How to optimize power and performance

with 22FDX™ Platform body-biasing

[编译自：TechReport , 来源：GlobalFoundries]