几年前斯坦福工程师率先开发的电阻式随机存取存储器（RRAM），它是一种新型电脑存储器，它基于一种新的半导体材料，依赖于温度和电压来存储数据。虽然它被证明比当前技术更快，更节能，但是RRAM的工作原理仍然是一个谜。现在，一个斯坦福团队使用了全新工具来研究RRAM，发现其最佳工作温度范围远低于此前预期，为更高效的内存铺平了道路。

RRAM及其制造的半导体允许芯片堆叠在彼此之上，使得存储器和逻辑组件以不能复制的方式靠近在一起。这些3D“高层”芯片可以解决大数据处理延迟，同时延长未来移动设备的电池寿命，提供更快，更高能效的解决方案。

RRAM工作的基本原理：在自然状态下，RRAM材料是绝缘体，阻止电子流动，但是用电场将它们打开，为电子打开一个路径，让电子流动，这两个状态之间交替可以形成二进制代码的基础：即绝缘状态表示0，而通过电子的状态代表1。

但是RRAM材料需要多少温度才会导致开关目前还是未知因素。由于没有办法测量由电力产生的热量，研究人员使用微热级的热板状装置加热RRAM芯片。通过监测电子何时开始流过RRAM材料，团队能够测量材料形成导电通路所需的温度，并惊喜地发现其最佳工作温度范围在80°F和260°F（26.7和126.7℃）之间，远低于此前估计的1160°F（626.7℃）。因此，未来的RRAM器件将需要更少的电力来产生这些温度，使得它们更节能。

RRAM可能不会在短时间内商业化，成为消费者设备当中的存储装置，但研究人员说，这一发现将有助于加快业界对这项技术的理解，并为未来的工作提供更坚实的基础。