英特尔和美光科技(Micron Technology)本周四公布了联合开发的34纳米、32Gb的NAND闪存芯片.这款芯片将催生廉价的大容量固态硬盘.
新款闪存芯片将利用300毫米晶圆片制造.英特尔的官员称,这也是当前最先进的闪存芯片制造工艺,它将为廉价的大容量固态硬盘的问世奠定基础.英特尔和美光将于6月份交付样品,批量生产则需要等到今年下半年.据英特尔称,一个采用其新的NAND闪存设计的32Gb芯片能够存储2000张高分辨率照片或1000首MP3歌曲.

英特尔NAND产品集团的营销主管彼得(Pete Hanzen)表示,该公司计划在未来的产品中使用新款芯片,但没有披露详细资料.英特尔3月份证实了将于2008年年中推出1.8和2.5英寸固态硬盘的计划.

分析人士预计,随着价格下滑,固态硬盘在企业中的普及将在未来数月内加速.尽管与传统硬盘相比有能耗和数据读写速度的优势,但固态硬盘的可靠性受到了质疑.