尽管没有在本届台北电脑展（Computex 2017）上搞个大新闻，但是镁光（Micron）还是在本月早些时候的一篇博客文章中透露了该公司在显存方面的最新进展。据悉，该公司成功地在实验室场景下，让 GDDR5X 显存以 16Gbps 高速运行。此外镁光表示，GDDR6 显存也将“很快到来”。如此高的速度，得益于量产版 GDDR5X 显存中“有意义的一部分样本”，这意味着上述结果并非特殊制作或模拟而成。

成果相当激动人心，但不要期望很快有搭载该高速显存的显卡上市。

文中还提到了 GDDR6 与 GDDR5X 显存的一些区别，GDDR5X 的经典配置是 16 / 32-bit I/O 位宽，而 GDDR6 则支持双路 8-bit 或 16-bit 位宽。

镁光未阐明这么做的好处，但我们猜测它可以支持临时关闭一个通道的节能模式，这对于移动设备来说更有意义。

此外，GDDR6 显存的封装可以更大，但触点也少了 10 个。换言之，触点之间的间距可以略大一些。

遗憾的是，我们可能需要多等一段时间，才能迎来 GDDR6 显存的量产。Kris Kido 表示：“我公司预计可在 2018 年初开产新型显存”。

照此推算，搭载新显存的显卡，最早也要等到明年晚些时候才能到来。而回顾 2 年前推出的 AMD Radeon R9 Nano 显卡，其搭载的 HBM 显存仍有望改变行业的现有格局。

[编译自：TechReport]