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东芝将发布43nm SLC闪存芯片
发布日期:2008-10-28 19:11:53  稿源：
东芝今天公布了更快的43nm SLC NAND闪存,它包含2,4,8GB的单芯片版本,分为BGA和TSOP封装,43nm工艺可以让东芝公司比之前提供的56nm制程设备存储密度增加一倍,并比目前的MLC多级单元产品提升了速度大约2.5倍.
新的芯片主要面向嵌入式存储器,例如移动电话,平板电视服务器,移动多媒体设备等.
预计2009年第一季度这款产品推向市场,东芝还没有对这款产品进行命名,厂商往往将这种芯片堆叠并封装在一起,形成各种大容量设备.

http://www.mydigitaldiscount.com/product_images/MDSSD32SLC-Phr.jpg
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