近日，东芝在CES 2018上展示了RC100 NVMe固态硬盘，最大的亮点在于RC100采用无DRAM（缓存）设计。早在此前就有部分厂商处于成本考虑推出了一些无缓存固态硬盘，但基本都是采用SATA接口且读写速度一般在500MB/s左右。

同样作为无缓存设计的RC100固态硬盘走的却是PCIe 3.0 x2通道，连续读写速度可达1620 MB/s（读取）、1130 MB/s（写入）。

据官方介绍，RC100固态硬盘采用的是主控内集成缓存（HBM）设计，随机读写IOPS分别高达160/120k。

目前RC100固态硬盘拥有120/240/480GB三种容量可选，提供3年保修服务，价格及具体发售日期暂未公布。