NPL的研究人员们提出了一种掺杂锰(Mn)的锗(Ge)衬底，具体说来就是首先制造锗纳米线，然后通过锰人工为其增加磁性。NPL的报告称，这种磁效应的属性使其有潜力作为电子元件的基础，包括超过300K的铁磁性、大约340cm2/Vs的空穴迁移率和其他工业相关参数。

锗在当今的超高端应用中相当常见，与硅混合大量出现在光纤、红外线光学、太阳能电池等技术中，Intel的45nm工艺也引入了这种金属，不过其缺点是易碎，因而大批量生产或者增大体积比较困难。

NPL高级科学家Olga Kazakova博士表示：“(锰锗)这种方案不仅是原料方面的变化，也改变了晶体管的结构。……锗和硅的亲和性很好，这就意味着它能很轻松地应用在现有硅电子技术中，同时无需大规模重新设计。这种基于NPL锗纳米线技术制造的晶体管预计能在10年后实现，有望带来一场计算和电子元件的革命。”

相关技术论文会发表在《纳米时报》(Nano Letters)上。