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三星展示 4Gbit DRAM,单条内存容量可达32GB
发布日期:2009-01-31 08:22:20  稿源：
利用其50纳米技术,三星公司声称制造出了世界上第一个4Gigabit的DDR3 DRAM芯片,这也是目前世界上密度最高的内存芯片模块.
这意味着单条内存的容量可以突破32GB,三星还表示,新的技术让电力消耗比以往大大减少,可以有效减少IDC的成本,减少机器数量,提高利用率和效率.
一个16GB的模块可以比之前的2Gbit版本减少40%的功耗,对于服务器,工作站,台式机和笔记本电脑都有好处.

但目前唯一的难题是,大多数的PC级消费市场均采用32位系统,因此也不能指望这种大规模的内存模块迅速铺开.

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