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Hynix开发出首款1Gbit 44nm DRAM芯片
发布日期:2009-02-09 20:46:55  稿源:
Hynix 半导体公司在周日称,他们已经开发出世界上首款1Gbit DRAM芯片。该公司称,1Gbit的DDR 3 DRAM芯片的量产将在今年第三季度开始,并采用44nm制程。该新的芯片有望比现有的采用54nm技术的芯片的产能高50%。
据悉DDR3 DRAM将带来更宽的带宽,据分析师称,在09年下半年,DDR3 DRAM将成为市场的主流。更小芯片的开发目前仍在进行,据报道,三星在上周公布了世界上首款40nm DRAM芯片。

cnBeta编译自UPI
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