目前，SanDisk和Toshiba已发展到了43nm制程。最新的43nm制程产品基于4位单元技术。SanDisk总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，2009年中开始，SanDisk将推出32nm制程，基于2位单元或3位单元技术。
相比之下，英特尔-美光两家公司近日推出了34纳米的NAND产品。市场的领先者三星电子公司(Samsung Electronics Co. Ltd.)一直提供42纳米的器件。
文章来源:Electronista
Toshiba将于秋季推出32纳米NAND闪存
发布日期:2009-02-25 09:33:35
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Toshiba将于2009年秋季推出32nm NAND flash芯片,就目前来看，SanDisk和东芝都已经加大了43纳米器件的投入。最新的43纳米产品都采用了每单元4比特(X4)的技术。不过市场是否对NAND真的有需求？一段时间，NAND一度因为产能过剩，陷入衰退困境。 SanDisk公司的总裁兼首席运营官Sanjay Mehrotra表示，从2009年年中，SanDisk将出货32纳米的器件，主要采用每单元2比特(X2)和每单元3比特(X3)技术。
目前，SanDisk和Toshiba已发展到了43nm制程。最新的43nm制程产品基于4位单元技术。SanDisk总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，2009年中开始，SanDisk将推出32nm制程，基于2位单元或3位单元技术。
相比之下，英特尔-美光两家公司近日推出了34纳米的NAND产品。市场的领先者三星电子公司(Samsung Electronics Co. Ltd.)一直提供42纳米的器件。
文章来源:Electronista
目前，SanDisk和Toshiba已发展到了43nm制程。最新的43nm制程产品基于4位单元技术。SanDisk总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，2009年中开始，SanDisk将推出32nm制程，基于2位单元或3位单元技术。
相比之下，英特尔-美光两家公司近日推出了34纳米的NAND产品。市场的领先者三星电子公司(Samsung Electronics Co. Ltd.)一直提供42纳米的器件。
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