三星已经开始使用它们的40nm制程，生产其8Gbit的Flex-OneNAND聚合NAND闪存芯片。三星称，他们已经扩大和芯片组设计厂商的合作，来发展他们的Flex-OneNAND存储技术，该技术可以将SLC和MLC NAND整合在同一块存储芯片上。此次生产的8Gbit闪存芯片将率先在智能手机领域使用，同时很快进入HDTV和IPTV领域。据悉，该技术可以允许设计者通过软件调整，选择将一部分SLC和MLC NAND闪存使用在嵌入式存储设计上。它可以优化访问速度和存储密度，SLC NAND闪存速度更快，更节能，而MLC NAND闪存密度更高。三星称，此次部署40nm技术将比之前的第一代4Gb Flex-OneNAND技术生产率提高180%，第一代采用的是60nm制程。

同时新的Flex-OneNAND将减少存储芯片在PCB板上占用的空间，带来比普通MLC NAND 闪存快4倍的读取速度，同时还能减少传输噪音。

cnBeta编译自eetimes