在最近于日本举办的VLSI2009大会上,GlobalFoundries公司向与会者展示了与IBM技术联盟其它成员一起开发出的High-K金属门 (HKMG)晶体管技术,而这项技术将可以被应用在32/28/22nm及更高规格的制程工艺中.这项技术可以有效减小HKMG晶体管的等效氧化层厚度 (EOT)，并有利于将制程工艺推进到22nm及更高的级别.使用这种技术,可以制造出EOT厚度只有0.55nm的n-MOSFET晶体管和EOT厚度 只有0.7nm的p-MOSFET晶体管. 在Intel目前的45nm制程中,他们使用了铪元素,而在32nm制程中他们也将继续使用这种元素制作晶体管.在去年秋季的IDF大会上,Intel曾展示了基于32nm制程技术的处理器;而三星则在今年4月15日宣布他们已经开发出32nm制程HKMG.不过,这两家公司都还没有现成的32nm制程产品上市,并且在今年秋季之前,也没有推出32nm制程产品的计划.

据Globalfoundries高层人士Jon Carvill宣称,GlobalFoundries将是Intel之后第二家推出32nm制程HKMG产品的厂商,有关的产品将在明年上半年推出,这个日期比Intel 32nm制程产品的上市日期迟了大约一个季度,明年一月份,Intel基于32nm HKMG制程技术的Arrandale/Clarkdale核心双核处理器将推出上市.

而AMD则将在稍后推出的Magny-Cours核心服务器处理器,或ATI第二代DX11显卡GPU核心产品上首先应用32nm制程技术,而据John透露,届时可能GlobalFoundries的32nm制程工艺还将为另一家大厂商提供服务.

过去,在向65nm/45nm制程迈进的过程中,AMD曾经落后Intel多达1年之久,而现在在32nm制程上,他们有望将这个落后的时间缩短到3-4个月,这无疑是个巨大的进步.

CNBeta编译
原文:brightsideofnews