台积电17日宣布已经完成28nm制程技术的研发，并计划于明年早些时候推出全世代（Full-node）28nm制程技术。他们在17日于日本举行的一 次研讨会上发布的一份文件中对此进行了说明，这份文件中显示台积电已经使用28nm双/三门氧化物SOC制程技术（dual/triple gate oxide SoC technology）成功制造出了64Mb容量的SRAM存储体，并取得了不错的良品率。这份文件并称这种使用氮氧化硅为MOSFET氧化层材料的28nm制程技术在闲置与工作状态下节电性能良好，并可以在速度上比过去的45nm制程技术获得25-40%的提升，而工作状态下的功耗则可减小30-50%左右。
注：Full-node：全世代制程,通常人们缩小芯片尺寸时需要对芯片内部的走线等进行重新设计,并称其为Full-node全世代。与之相对的是Half-node半世代制程，这种半世代制程能在不必重新设计芯片内部电路走线的条件下，便能直接缩小芯片尺寸，也就是说芯片的内部设计可以保持不变。
此前GlobalFoundries公司曾在日本的VLSI2009大会上展示过可用于22nm级以上规格制程中的High-K金属门 (HKMG)晶体管技术，而在Computex2009大会上，他们还展示过基于32nm/28nm制程的晶圆样品，并宣称明年他们计划开始量产32nm制程晶圆，而他们的28nm制程则将被定位为半世代制程,计划于2011年量产。
CNBeta编译
原文：digitimes