CNBeta编译
原文：electronista
三星正式宣布开始量产40nm 2Gb密度DDR3内存芯片
发布日期:2009-07-21 21:35:40
稿源：
三星本周二宣称成为业内首家量产40nm制程2Gb密度（256MB）DDR3芯片的厂家，新的40nm制程高密度DDR3芯片将进一步降低内存芯片的功 耗和制造成本，并可用于制造服务器/笔记本用16GB/4GB容量内存条,这种芯片的工作电压为1.35V。相比过去的50nm制程技术，新的40nm制 程可以将内存芯片的存储密度提高60%左右。
另外，2Gb内存芯片的位宽也比原有的1Gb芯片增加了一倍，位宽增加之后，芯片的传输带宽可达1.6Gb/s。目前三星并没有透露这款40nm 2Gb芯片具体的上市日期和价格。
CNBeta编译
原文：electronista
CNBeta编译
原文：electronista
加载中...
© 2003-2025