台积电公司最近公开了其高级低功耗制程设计一年半内的发展计划。他们宣称将在28nm节点尺寸上开发出三种不同的制程工艺用于制造64Mb存储密度的SRAM存储芯片。并称该发展计划与去年9月份公布的发展计划相吻合，并没有出现拖延。 这三种制程工艺分别是：“低功耗氮氧化硅电介质工艺”（代号28LP）;"High-K+金属门高性能工艺“（代号28HP）以及”低功耗型High-K+金属门工艺“（代号28HPL）。其中28LP制程技术台积电此前曾多次宣称会在明年第一季度（预计会在三月份左右）开始小批试产，这种工艺的特征是栅极采用传统的氮氧化硅电介质+多晶硅栅极进行制造，制造成本较低，实现较为简单，主要用于手机和各种移动应用。。

而后两种工艺28HP和28HPL则在栅极部分采用了High-K电介质+金属栅极的结构，与这两种工艺技术有关的发展计划则是台积电首次披露，台积电称28HP工艺会在明年第二季度（6月份左右）开始小批生产，主打高性能，将应用于CPU、GPU、芯片组、FPGA、网络、游戏机和移动计算等常规应用。；而28HPL工艺则会在明年第三季度开始小批生产，可用于手机、上网本、无线通讯、便携式消费电子设备等。另外，台积电还表示自己在28HP/28HPL工艺中采用的是Gate-last工艺技术。

目前据各方面信息显示Nvidia正在台积电与Globalfoundries的28nm制程之间摇摆不定，而台积电此番“表白”显然在吸引Nvidia的注意力方面会起到一定的作用--当然，获胜的前提是届时芯片的良品率能够达到合适的水平。

小资料：

Gate-last是用于制作金属栅极结构的一种工艺技术，这种技术的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火工步完成之后再形成金属栅极；与此相对的是Gate-first工艺，这种工艺的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的退火工步完成之前便生成金属栅极。

由于退火工步需要进行数千度的高温处理，而Gate-last工艺则可令金属栅极避开高温退火工步，因此相比Gate-first工艺而言，前者对用于制作金属栅极的金属材料要求更低，不过相应的工艺技术也更复杂，Intel便是Gate-last工艺的坚定支持者，而IBM/AMD则将采用Gate-first工艺制作32nm制程金属栅极。

CNBeta编译
原文：fudzilla