具体来说，新32nm eDRAM存储密度是2008年8月他们创造“全球最小存储单元纪录”的22nm嵌入式SRAM的两倍，32nm SRAM的四倍。如使用这一技术，处理器的内置缓存容量将得到成倍提升。
速度方面，32nm SOI eDRAM的延迟和工作循环时间均小于2ns，是目前速度最快的嵌入式存储设备。而它的待机功耗还是同类SRAM的四分之一，出错几率是SRAM的几千分之一。
IBM表示，将在12月举行的国际电子设备会议上介绍32nm和22nm的eDRAM技术细节。而该技术未来将被使用在IBM的服务器处理器以及多种应用芯片中，并授权给IBM的多家合作伙伴使用。
编译/驱动之家