据业者透露，东芝及其闪存合作伙伴SanDisk计划要在明年下半年开始采用20nm级别制程来量产NAND闪存芯片。另外两家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合资兴建的闪存芯片厂将逐月增大闪存芯片的产能，直至达到20万片的产能水平。东芝公司最近已经开始32nm制程3bpc（每存储单元3bit数据）闪存芯片的量产，按原先的计划，合资的四日市芯片厂32nm制程芯片的产量应在今年底前达到总产量的50%左右，不过按目前的产能规划来看，实际的量产实施时间看来已经会有所拖延。
另一方面，对手Intel和镁光两家公司也曾表示称会在年底前开始使用20nm级别的制程技术制造闪存芯片。两家公司合资成立的IM Flash公司近期会开始采用34nm制程技术制作3bpc 32Gb NAND闪存。
三星公司也在积极跟进，他们正计划将其在德州奥斯丁的8英寸芯片厂升级为12英寸芯片厂，这样到明年下半年之前，他们的闪存芯片产能便能进一步提高。据此前的报道显示，三星目前正采用42nm制程技术量产制造NAND闪存。
预计闪存芯片采用2Xnm制程技术制作后，SSD硬盘产品的成本将有显著下降，这样SSD硬盘取代传统机械硬盘的步伐便会大大加快。
CNBeta编译
原文：digitimes