三星首批相变PRAM芯片将具备512Mb存储密度，并采用60nm制程技术制作，80ms内可删除64KW数据量，比现有NOR闪存的操作速度快10倍；删除5MB大尺寸数据的速度则比NOR闪存要快7倍左右。
CNBeta编译
原文：tcmagazine
三星终于开始生产PRAM相变存储体芯片，60nm制程，512Mb存储密度
发布日期:2009-09-22 15:38:20
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三星近日终于宣布其PRAM相变存储产品已经开始正式生产，他们原定的计划是在6月份开始PRAM相变存储产品的生产，不过由于各种原因后延了一段时间。 相变存储技术以硫化玻璃材料为核心，利用有结晶与非结晶两种状态来记录数据，相比传统的NOR/NAND闪存读写速度快30倍以上，而且读写寿命也可提高到 10倍以上。
三星公司的高管Sei-Jin Kim表示：“PRAM相变存储体的研制成功将大大促进手机，尤其是多媒体智能手机效能的发展。我们认为这种产品将是未来我们的核心存储产品之一。”
三星首批相变PRAM芯片将具备512Mb存储密度，并采用60nm制程技术制作，80ms内可删除64KW数据量，比现有NOR闪存的操作速度快10倍；删除5MB大尺寸数据的速度则比NOR闪存要快7倍左右。
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三星首批相变PRAM芯片将具备512Mb存储密度，并采用60nm制程技术制作，80ms内可删除64KW数据量，比现有NOR闪存的操作速度快10倍；删除5MB大尺寸数据的速度则比NOR闪存要快7倍左右。
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