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尔必达宣布制出业内首款50nm 2Gb DDR2移动内存芯片，明年上半年量产
发布日期:2009-09-28 17:40:25  稿源：
日本尔必达内存公司近日宣布制出了业内首款2Gb存储密度的DDR2移动内存芯片，这款产品采用50nm制程技术制作，工作电压低至1.2V，峰值数据传输率可达800Mbps。这种内存芯片将主要面向高端手机产品，上网本以及MID（手持互联网设备）。
尔必达表示，这款移动内存芯片将于下月进入试样阶段，明年上半年则可望实现量产。供货形式有裸片形式或完整封装形式。

CNBeta编译
原文：tcmagazine

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