外媒报道称，三星已开始其新建的 V1 晶圆工厂的大规模生产，成为业内首批完全使用 6LPP 和 7LPP 制造工艺的纯极紫外光刻（EUV）生产线。作为三星下一代制造工艺的重要推动力，EUVL 能够减少多重曝光，提升采用更精细设计的芯片的良率。

初期，三星将 EUVL 设备用于其 6LPP 和 7LPP 节点，且未来有望扩展至 5LPE、4LPE、3GAE 和 3GAP 等制程节点。

该工厂的 7LPP 和 6LPP 工艺，将用于今年一季度交付的高端移动 SoC，但目前尚不知合约客户的名称。

需要注意的是，6LPP 并不是三星多项目晶圆（MPW）穿梭计划的一部分，或表明该工艺仅适用于三星自家的产品（或那些不适用 MPW 的客户）。

6LPP 是三星 7LPP 节点的演进，提升了约 10% 的晶体管密度和更低的功耗，可与最初为 7LPP 开发的 IP 兼容并重复使用。

此外，6LPP 为渴望投资于全新 IP 和多重扩散中断（Multi Diffusion Break）功能的设计人员，提供了智能结构的支持。

然而 6LPP 可能仅面向部分客户限量供应，未来重点似乎是新的 5PLE 节点，后者在功耗、性能等方面具有更多的优势。

据悉，三星 V1 晶圆厂位于韩国华城、毗邻 S3，该公司在那里开启了 7LPP 制程芯片的首次批量生产。

三星于 2018 年 2 月开始建造 V1，并于 2019 下半年开始晶片的测试生产。现在，该公司将继续扩大 V1 晶圆厂产能规模。

预计到 2020 年底时，EUV 7LPP 以下总产能节点数量将是 2019 年的三倍，且针对 V1 的累计投资将达到 60 亿美元。