这家全球最大的内存芯片制造商表示,PRAM(变随机存取存储器)目前的存储密度已经可以做到512Mb,这种技术已经被讨论了数十年,英特尔创始人戈登·摩尔早在1970年9月的电子技术杂志上就发表过有关于PRAM的文章,PRAM的基本存储原理很简单,我们可以把它看作是类似于可擦写的DVD光盘,只不过擦写手段不是采用激光,而是由电流控制.PRAM领域的代表厂商包括 Elpida、英特尔、飞利浦、三星和意法半导体,它们都从掌握基础专利的Ovonyx Inc获得技术授权,目前三星公司在PRAM商用化方面进度领先.
和F-RAM铁电存储器与MRAM磁性存储器相比,PRAM相变存储器在容量和商业化生产方面有先天的优势,其存储密度可与Flash闪存媲美,同时可很容易地利用半导体工艺进行大规模生产,因此PRAM很有希望率先实现实用化.不过,由于受限于相变材料,PRAM的读写性能很难有本质性的提升,目前 PRAM的最快写入速度为120ns,读出速度为60ns,因此在性能方面PRAM难以同DRAM和SRAM媲美,只是优于Flash闪存.
三星的512Mb PRAM芯片采用60纳米制造技术他们认为认为,手机使用PRAM,可以让电池寿命长20%以上,目前的性能已经可以超出NOR快闪10被,擦写数据是NOR的7倍.