相比之下，Nvidia则对台积电的40nm制程良率表达了较为不信任的意见，据Barclays公司的分析师 C.J. Muse透露：“在Nvidia的会议上，与会者整晚都在讨论台积电的40nm产能及良率问题。”
“管理层讨论了台积电的良率改进，但他们认为改进的程度仍显不足。尽管良率的确有所改进，但不容忽视的是台积电曾提到目前40nm制程制作过程中仍存在腔体匹配问题（Chamber matching：即保证各个用于对晶圆进行离子注入的工艺腔气体配方成分尽量一致），希望他们能尽快解决。”
此前有消息指出，造成台积电40nm制程腔体匹配问题的罪魁祸首是其离子注入设备的供应商。
“AMD与Nvidia均受到此问题的影响，而AMD抢先两个月推出DX11显卡产品的优势则正逐步被这个问题所抵消掉.”
CNBeta编译
原文：eetimes
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