Hynix宣称其40nm制程2Gb DDR3内存芯片的产出量比50nm制程技术提升了60%左右。并称40nm制程的产品耗电量比50nm制程产品可下降40%，比业内通用的耗电标准低两倍。
Hynix公司的CMO JB Kim表示：“在高性能服务器市场，目前的主流已经迅速由原来的1Gb密度芯片转为2Gb密度芯片，我们将为业界提供性能最好的1Gb/2Gb内存产品。”
CNBeta编译
原文：digitimes
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