在传统工艺中，由于电子活动性降低，通常认为体硅（Bulk）CMOS在20nm级制程下已经很难实现。但东芝在沟道构造中使用了三层材料，解决了这一问题，成功实现了20nm级的体硅CMOS。这三层材料中，最顶层为外延硅，中间硅层掺杂碳，底层则掺杂硼（nMOS）或砷（pMOS）。
东芝宣称，这种新工艺在性能上比传统沟道结构提升了15%到18%，并且通过简单的工艺改进即可实现，不需要使用成本更高的SOI工艺或3D栅极结构。
文/驱动之家
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