在传统工艺中，由于电子活动性降低，通常认为体硅（Bulk）CMOS在20nm级制程下已经很难实现。但东芝在沟道构造中使用了三层材料，解决了这一问题，成功实现了20nm级的体硅CMOS。这三层材料中，最顶层为外延硅，中间硅层掺杂碳，底层则掺杂硼（nMOS）或砷（pMOS）。
东芝宣称，这种新工艺在性能上比传统沟道结构提升了15%到18%，并且通过简单的工艺改进即可实现，不需要使用成本更高的SOI工艺或3D栅极结构。
文/驱动之家
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东芝20nm级体硅CMOS工艺获突破
发布日期:2009-12-09 16:24:37
稿源：
东芝公司今天在美国马里兰州巴尔的摩市举行的IEDM半导体技术会议上宣布，其20nm级CMOS工艺技术获得了重大突破，开启了使用体硅CMOS工艺制造下一代超大规模集成电路设备的大门，成为业界首个能够投入实际生产的20nm级CMOS工艺。东芝表示，他们通过对晶体管沟道的掺杂材料进行改善，实现了这次突破。
在传统工艺中，由于电子活动性降低，通常认为体硅（Bulk）CMOS在20nm级制程下已经很难实现。但东芝在沟道构造中使用了三层材料，解决了这一问题，成功实现了20nm级的体硅CMOS。这三层材料中，最顶层为外延硅，中间硅层掺杂碳，底层则掺杂硼（nMOS）或砷（pMOS）。
东芝宣称，这种新工艺在性能上比传统沟道结构提升了15%到18%，并且通过简单的工艺改进即可实现，不需要使用成本更高的SOI工艺或3D栅极结构。
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在传统工艺中，由于电子活动性降低，通常认为体硅（Bulk）CMOS在20nm级制程下已经很难实现。但东芝在沟道构造中使用了三层材料，解决了这一问题，成功实现了20nm级的体硅CMOS。这三层材料中，最顶层为外延硅，中间硅层掺杂碳，底层则掺杂硼（nMOS）或砷（pMOS）。
东芝宣称，这种新工艺在性能上比传统沟道结构提升了15%到18%，并且通过简单的工艺改进即可实现，不需要使用成本更高的SOI工艺或3D栅极结构。
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