Intel现在为这种所谓的量子阱场效应晶体管(QWFET)加入了一个高K栅极介质，并且已经在硅晶圆基片上制造了一个原型设备，证明新技术可以和现有硅制造工艺相结合。
试验证实，短通道设备加入高K栅极介质后的栅极漏电电流减少到了只有原来的千分之一，同时电氧化物的厚度也减少了33％，从而可以获得更快的切换速度，最终能够大大改善芯片性能。
如果你对其中的技术细节感兴趣，可以参考Intel研发副总裁、化合物半导体研究项目主管Miky Mayberry的博文。
QWFET(右)与MOS晶体管简单对比
栅极漏电电流与势垒厚度(肖特基栅极和量子阱之间的距离)关系图
电子显微镜照片：40nm栅极宽宽度的锑化铟(InSb)p通道压应变QWFET
文/驱动之家<