美光拟10年投资150亿美元 在美国新建内存芯片工厂

美光在新闻稿中称，这项投资确保了DRAM（动态随机存取存储器）和NAND闪存的美国国产化。此前，这类芯片大部分产自亚洲。新设施生产的内存将用于汽车、数据中心、人工智能（AI）和5G等领域。

这项投资决定是在美国总统乔·拜登（Joe Biden）签署《芯片法案》之后做出的，美光称爱达荷州提供的激励措施也发挥了重要作用。

美光首席执行官桑贾伊·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）表示：“我们新的尖端内存芯片制造工厂将推动美国争取技术领先地位，确保可靠的国内半导体供应，这对经济和国家安全至关重要。”

拜登总统在声明中说：“美光此举代表着美国的又一大胜利，我们将在美国制造电动汽车、芯片、光纤和其他关键部件。”

美光没有提供新工厂产能或将生产的芯片类型等细节。此次扩张正值美光因需求疲软而下调其第四季度营收预期之际，其竞争对手同行希捷也大幅下调了第一财季的预期。

市场研究机构Summit Insights Group分析师Kinngai Chan表示：“美光正在按照美国政府希望的方式行事，那就是在美国建造制造工厂。”

美光计划在2030年前投资400亿美元，分多个阶段在美国建设制造设施，以支持其在美国弗吉尼亚州、日本、新加坡等地的工厂。这项计划估计总共可创造4万个就业机会。