SK hynix开发出1anm DDR5 DRAM 针对第四代英特尔至强可扩展CPU进行优化
摘要：
SK hynix公司今天宣布，其采用第四代10纳米工艺技术的1anm DDR5服务器内存已经在几天前推出的英特尔第四代至强可扩展CPU上得到了验证。这一验证在业界尚属首次。SK海力士的DDR5采用EUV（即极紫外光）光刻工艺。
由于新的英特尔第四代至强可扩展CPU预计将成为计算行业的下一个中心，由于预期对更高性能的内存模块的需求增加，行业专家认为，新一代内存将实现消费者的需求，并将在更短的时间内成为行业标准。
英特尔为其首次支持DDR5的最新处理器验证了1anm DDR5的兼容性，这具有纪念意义。我们将通过已经开始大规模生产的DDR5，积极应对不断增长的服务器市场，从而寻求半导体存储器行业的快速发展。
- SK hynix
此外，SK hynix和英特尔已经发表了一份涵盖DDR5内存的白皮书，展示了该技术的品质和1anm DDR5的记录性能。
在第四代英特尔至强可扩展处理器推出后，该公司正与一些客户密切合作，以便更广泛地采用DDR5，并将加强其在不断增长的服务器市场的领导地位。
- SK hynix DRAM产品规划主管Sungsoo Ryu
英特尔内存和I/O技术副总裁Dimitrios Ziakas博士表示："英特尔一直在与SK hynix、JEDEC和业界辛勤工作，将DDR5从最初的构想变为我们最新处理器技术核心的可扩展、可靠的内存子系统。第四代英特尔至强可扩展处理器利用DDR5增强的内存功能，为我们的数据中心客户提供了大量工作负载和应用所需的带宽、性能和扩展能力。"
