高通和三星探索未来骁龙8系统芯片的双源选择 N3E和3nm GAA节点成为可能
摘要：
高通公司的骁龙8代是基于台积电的4纳米工艺制造的，但该公司有可能通过与三星合作，在未来的高端芯片组中采用双源的目的。有传言称，可能会采用台积电和三星分别提供的尖端N3E和3纳米GAA工艺来实现这一目标。
骁龙8代"Galaxy"定制品牌可能会被保留，用于完全依靠三星的制造技术批量生产的SoC。
随着三星在其最新季度财报中宣布其3纳米GAA技术的进展，Revegnus报道说，该公司的晶圆产量似乎表现良好。消息人士认为，这就是高通和这家韩国巨头合作打造高端骁龙8号芯片组的变种的原因。例如，假设该计划在2024年初实现，那么常规的骁龙8代将在台积电的N3E工艺上交付，这是公司3纳米架构的改进迭代。
第二个版本将采用三星的3纳米GAA工艺制造，并可能被命名为"Snapdragon 8 Gen 4 for Galaxy"，并为Galaxy S25系列保留。此前有传言称，高通公司将转向双源方案，因为从商业角度来看，这是节约成本的最明智选择。据说今年只有苹果在台积电的3纳米工艺上大规模生产芯片组，高额的晶圆价格使高通和联发科不愿意下订单。
然而，这并不意味着台积电的N3E工艺会更便宜，因此转向三星的3纳米GAA节点将是正确的做法。不幸的是，就今年而言，高通似乎没有计划利用三星的下一代3纳米GAA技术。相反，即将发布的骁龙8 Gen 3据说将在台积电的N4P工艺上进行量产，为未来的Galaxy S24机型带来稍好的电源效率。
过去发布的Snapdragon 8证明了台积电的代工厂比三星的代工厂更有优势，因此后者正在加快步伐，再次确保与前客户的业务往来，这一点也不令人惊讶。
