骁龙8 Gen4明年将支持高带宽、高能效DRAM芯片 同时过渡到台积电N3E工艺
摘要：
据传，高通公司将从明年开始转向台积电的先进3纳米工艺或N3E，这意味着该公司的新一代骁龙8有可能成为该芯片组制造商的第一款展示在下一代节点上制造特性的产品。然而，我们还可以期待沿途的其他升级，比如过渡到更快和更有效的DRAM支持。
据称从明年开始，骁龙8系列将支持LPDDR6内存，三星有望走在这项技术的最前沿。由于当前一代芯片组提供了对LPDDR5X RAM的支持，而且很可能会与预计在今年晚些时候发布的骁龙8 Gen3整合，因此唯一的出路就是明年的骁龙8 Gen4。据@OreXda称，高通的2024年旗舰SoC据说支持LPDDR6标准，而在Twitter上，这位线人巧妙地分享了一张三星的LPDDR6 DRAM的新闻图片，暗示这家韩国制造商将继续领先。
骁龙8 Gen4据说是高通第一款改用该公司定制的Oryon内核的芯片组，这将得益于早先对Nuvia的收购而成为可能。这些Oryon内核可能会受益于转换到LPDDR6标准所赋予的更高内存带宽，尽管我们不知道这项技术的确切规格。
在三星的LPDDR5和LPDDR5X内存之间，有1.3倍的内存带宽差异，同时还有20%的功耗差异，我们应该看到LPDDR6标准与LPDDR5X相比具有相同的优势，从而使旗舰智能手机更加高效。据称，骁龙8 Gen4的能力非常出色，早先有传言称，后者的多核性能比苹果的M2更好。
