长鑫存储与长江存储重重障碍中加强研发工作
摘要：
为了规避美国对中国芯片制造商实施的制裁，中国领先的 DRAM 和 NAND
闪存供应商长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）分别采取了大胆的举措，在美国出口限制的情况下采取了不同的战略来加快发展。
DigiTimes 的消息来源指出，长鑫存储已开始在其位于合肥的新工厂量产 18.5 纳米工艺的 DRAM 芯片。通过略微超过美国 18 纳米的限制，旨在提高产能，同时在技术上遵守美国商务部的规定。
合肥工厂一期工程已接近满负荷运转，月产量达到 100,00 片晶圆。即将进行的二期扩建将在 2024 年底前每月增加 40000 片晶圆，这将使长鑫存储的 DRAM 总产能达到全球规模的 10%。此外，长鑫还计划为新的扩产大幅增加国内采购。
相比之下，长江存储在被列入美国实体名单后，其产能增长面临全面限制。由于关键设备的进口现已停止，建立材料和工具的本地供应链已被证明具有挑战性。尽管研发取得了进展，包括NAND闪存超过300层，但长江存储还是推出了120层的新产品，有意低于美国的128层限制。然而，即使是这些符合标准的芯片，也要等待美国批准才能进行更大规模的生产。
展望未来，虽然长鑫已经开辟了一条绕过美国限制的可行之路，但长江存储的产能计划却面临着持续的障碍。尽管如此，通过坚定的研发努力，包括 232 层和未来的 300 多层 NAND，长江存储的目标是克服外部不利因素，推动中国半导体能力向前发展。
