据传三星已启动代号为"Thetis"的 2 纳米芯片开发 可能首先将其用于Exynos
韩国新闻门户Naver报道，Exynos 2500 可能是三星今年第四季度进入量产阶段的首款 3nm GAA 智能手机芯片，但这家韩国巨头不会就此止步，因为它在代工业务方面更是有宏伟的计划。一则新的传言称，该公司已开始开发 2 纳米技术，并打算将其应用于未来发布的 Exynos 芯片。
据报道，苹果公司首席运营官杰夫-威廉姆斯（Jeff Williams）最近访问了台湾，希望从台积电（TSMC）获得首批 2 纳米晶圆，Naver 也传出这家韩国公司将开始开发自己的 2 纳米工艺，代号为"Thetis"。忒提斯是希腊神话中的海神，也是特洛伊战争英雄阿喀琉斯的母亲。三星之所以选择这个名字，可能是因为 Thetis 一词的词源来自于"世世代代"。
此前有报道称，三星将于 2025 年开始量产2 纳米 GAA 晶圆，预计其 3 纳米 GAA 技术将有三次迭代。第二代 3 纳米 GAA 节点据说将用于即将推出的 Exynos 2500，三星的目标是减少电流泄漏，提高这款芯片组的能效。据报道，随着"Gate All Around"技术被应用于 2 纳米光刻技术，三星可能会超越台积电的 2 纳米工艺。
不幸的是，这家韩国代工厂面临的最大障碍一直是良品率。即使采用了 3 纳米 GAA 技术，三星的良品率也只有可怜的 20%，尽管它似乎已设法将这一数字提高到原来的三倍，但仍然落后于台积电。三星正在加快量产尖端硅片的步伐，因为它希望在未来发布的旗舰智能手机中保持较高的 Exynos 芯片组采用率。
这将有助于减少三星对高通公司的依赖，降低其芯片组支出，由于三星推出的 Galaxy S23 系列完全采用骁龙 8 Gen 2，导致其 2023 年的芯片支出高达70 亿美元。在 2024 年第一季度的财务报告中，三星的营业利润比 2023 年第一季度猛增了933%，这表明该公司正在优化其各个业务部门，而这种做法对于提高其 2nm GAA 工艺的良品率大有裨益。
