台积电抢先布局1纳米制程 意在甩开三星 全速冲刺超先进节点

报道称，首批2纳米芯片预计将在今年内亮相，多数大客户将采用台积电的N2与N2P制程节点，但这只是先进制程竞争的起点。台积电已着手规划跨越2纳米以下“天花板”的生产路线，启动面向1纳米工艺的前期准备，希望在未来数年内继续稳固其在高性能与高能效芯片制造市场的主导地位。

为满足持续高涨的订单需求并兼顾长线扩产计划，台积电目前正兴建包括1纳米相关产线在内的多座新厂，总量高达12座，这些工厂将成为2纳米、A14（约1.4纳米）以及后续更先进节点的重要生产基地。在人工智能、数据中心、高端手机与个人电脑等领域对尖端制程需求迅猛增长的背景下，台积电被视为在这一轮资本与技术竞赛中准备最充分的企业之一。

不过，从筹地到正式量产仍需时间。根据报道，台积电通过龙潭第三期扩建计划取得新厂用地的进程预计在2029年才会正式启动，这意味着1纳米工艺的大规模量产可能要到2030年或2031年之后才会实现。业内人士指出，先进制程节点的研发、验证与建厂周期长、投入大，台积电选择提前布局，既是为确保产能，也是在与竞争对手的“时间赛跑”中抢占先机。

相比之下，三星在先进制程节点上的步伐同样加快，但面临的挑战更突出。报道提到，三星计划在2029年开启1纳米晶圆量产，并已在美国率先建设2纳米工艺生产厂，试图通过地缘布局与技术突破提升其代工竞争力。不过，困扰三星的关键问题并非节点推进速度，而是良率与制程稳定性——这直接影响客户对其长期合作的信心。

此前有分析指出，即便三星抢在台积电之前大规模导入2纳米制程，其在客户群体中的定位依然更接近“备选方案”，而非能够与台积电正面抗衡的一线首选代工厂。只有在良率和可靠性显著改善的前提下，三星才能在高端代工市场赢得更多核心订单，并真正撼动台积电当前的领先格局。

在这一背景下，三星被认为将会在2纳米节点上停留更长时间，以换取工艺成熟与良率提升，希望借此扩大客户基础，从而在高端制程战局中缩小与台积电的差距。然而，从目前进展来看，台积电已经着眼于2030年前后启动1纳米量产，一旦如期推进，将在未来数年继续保持在超先进制造工艺领域的明显领先。

行业分析人士认为，在AI推理与训练芯片、超大规模数据中心、以及对能效敏感的高端终端设备推动下，1纳米及以下节点将成为下一阶段资本和技术竞争的焦点。随着台积电与三星各自加快布局，高端代工市场的竞争将愈发激烈，但在可预见的未来，台积电凭借其工艺成熟度、规模经济与客户结构优势，在通往1纳米的道路上依然占据上风。