该研发团队是由Jean-Pierre Colinge教授领导的，这种晶体管的亚阀值斜率接近理想状态，而且还具备漏电电流小，门限电压低以及耐温性好的优点，而且还可以兼容于CMOS工艺。
硅沟道中的电流由环绕在沟道周围的栅极控制，Colinge教授表示这种晶体管的结构与1925年人们提出的理想晶体管的结构非常相似，不过目前为止还没有人能够按这种结构制造出实际的器件。
目前还不知道这种技术何时能被投入实用，这项技术目前仍处于原型机研制阶段，要投入实用预计还需要等上数年。
CNBeta编译
原文：electronista