三星公司日前宣布他们已经开始量产40nm制程4Gb DDR3内存芯片产品。三星公司内存市场部的执行副总裁Dong-Soo Jun表示，去年7月份他们便已经研制出了40nm制程DDR3内存芯片，他并表示三星在大容量DDR3内存芯片制作技术方面已经走在了业界前列。他表示：”在我们研制出40nm制程DDR3内存芯片的七个月之后，我们现在又将这种功耗超低的40nm制程4Gb DDR3内存芯片产品投入了量产，这种芯片的存储密度比前代产品提升了一倍。当被应用到16GB容量的内存条上时，这种4Gb DDR3内存芯片的功耗将比过去下降35%左右，大大减小了系统的耗电量。“

这次4Gb DDR3内存芯片的量产意味着服务器内存配置中，每个内存通道所能达到的最大内存容量将被提升到32GB，比现有2Gb内存芯片的配置方案容量提高了一倍。

另外，据悉三星还计划扩大40nm制程内存芯片产品的产量，使其产量比率占到其所产各类DDR内存芯片总量的90%。

CNBeta编译
原文：theinquirer