Numonyx此番推出的“Omneo PCM”品牌相变存储芯片主要面向有线与无线通信、消 费电子、PC和其他嵌入式领域，综合了各种闪存技术和RAM、EEPROM的优良属性，号称写入速度是当前闪存的最快 300倍，写入寿命也是10倍以上。

Omneo P5Q PCM兼具串行NOR闪存和EEPROM技术的特点，使用90nm工艺制造，标准串行外设 接口(SPI)的SOIC-16封装，单颗容量128Mb(16MB)，单/双IO带宽66MHz，四I/O带宽50MHz，编程时间0.7MB /s(65nm SPI NOR闪存的最快三倍)，写入耐久性100万次(NOR闪存的十倍)，支持字节变性(无需擦除操作而提高性能)。

Omneo P8P PCM则是Numonyx发布的第二批90nm 128Mb高性能并行接口产品，56-lead TSOP或者64-ball Easy BGA封装，尺寸8×10毫米，兼容现有并行NOR闪存插槽，同样支持支持字节变性，写入周期也有100万次，而2008年12月的第一批产品只有10万 次。

Numony Omneo P5Q/P8P PCM系列相变存储芯片现均已批量供货。

编译/驱动之家