10月21日，据路透社报道，四名知情人士称，三星电子和SK海力士正在升级其中国工厂，以生产更先进的闪存芯片，抵御快速成长的中国对手的竞争，并满足巨大的AI需求。

SK海力士

自2022年美国开始对部分芯片制造设备实施出口管制以来，监管方面的障碍限制了两家公司改造工厂的能力，也导致它们的市场份额被长江存储蚕食。这两家公司现在如果要在中国的工厂安装蚀刻机等美国制造的设备，就必须每年向美国申请许可证。在三星和SK海力士一直纠结于应在中国工厂投资多少之际，长江存储取得了长足进步。

研究公司Omdia的数据显示，长江存储第二季度在中国NAND市场占据38.5%的份额，高于2025年全年的28%，并超过了三星。相比之下，三星的份额已从36%下滑至33.5%，SK海力士的份额则从20%降至17%。

三星和SK海力士在发给路透社的声明中证实，升级工作正在进行，并且是在与华盛顿密切协商的情况下进行的，但未披露生产计划细节。

不过，对于三星和SK海力士升级计划所需设备的出口许可证，美国当局究竟批准了多少，路透社无法确定。

据知情人士透露，两家公司正努力在中国工厂生产层数超过200层的NAND闪存芯片，使其生产水平与韩国工厂保持一致。NAND是一种断电后仍能保留数据的存储芯片，广泛应用于智能手机、个人电脑以及AI数据中心使用的固态硬盘。单颗芯片的层数越多，存储密度就越高，成本也越低。

两名知情人士称，三星位于中国西北部西安的工厂目前生产的芯片约有200层。该工厂的产量约占三星全球NAND闪存总产量的40%。三星正在推进一项内部代号为“Monami”的项目。该名称源自法语，意为“我的朋友”。作为这一项目的一部分，三星正将这座工厂改造为生产286层的V9 NAND闪存芯片，目标是在今年12月实现月产5000片晶圆，并在2027年12月将月产量大幅提高至4万片晶圆。

三星表示，此次升级符合美国出口管制规定，“此次升级旨在满足包括美国客户在内的全球客户日益增长的需求。公司并未扩大产能，也没有新建制造设施”。

三名知情人士表示，SK海力士正计划将其位于中国东北部大连的工厂转向生产层数达到240层或以上的NAND闪存产品。该工厂目前生产的是192层产品。知情人士称，该公司获准在大连生产最多240层的芯片，并可能寻求华盛顿批准，在当地研发300层以上的芯片，这将有助于其为未来在美国的潜在生产奠定基础。该公司正与特朗普政府就在美国新建一座NAND工厂的计划进行磋商。