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融合NAND/NOR优势:三星正式发布30nm制程OneNAND闪存芯片产品
发布日期:2010-05-06 21:08:33  稿源:
三星公司近日正式发布了采用30nm制程技术制作的8Gb密度OneNAND闪存产品,OneNAND闪存是三星力推的一种新型闪存芯片,这种芯片内部 集成了SLC NAND闪存,NOR闪存接口界面以及高速SRAM读写缓冲,可以融合NAND闪存和NOR闪存的优势。这款新产品的读取速度可达70MB/s。这种闪存 非常适合智能手机和消费电子设备使用。
 

目前三星已经开始向部分客户送样这种OneNAND闪存芯片产品,预计本月底三星将开始量产这款产品。尽管三星目前没有透露这款闪存送样的对象厂商,但显然苹果等主要电子设备厂商会收到这种闪存的样品。

CNBeta编译
原文:
electronista

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