日本科学家近日成功将NAND闪存芯片的驱动电压降低到了1V，此举将令其功耗仅有现有最节能NAND闪存芯片的86%左右，而且这种芯片的写入速度还可 以高达9.5GB/s，还可以并行向100块以上的闪存芯片中同时写入数据。
相比之下，传统的浮栅结构NAND闪存芯片驱动电压高达20V，而铁电结构NAND闪存则为6V。日本科学家们在铁电结构NAND闪存的基础上，向晶体管结构中加入了金属栅和新的绝缘层材料，将其驱动电压进一步下降到了1V左右。

降低驱动电压的另一个难点在于如何避免信号干扰现象，一旦出现信号干扰，那么写入芯片中的数据便会出现偏差，日本科学家解决这个问题的方法则是在写入时关闭周边的晶体管。

不过这项技术要正式投入实用恐怕还有很长的路要走，科学家们本周才刚刚在一次技术会议上公布了这项技术，不过这项技术的前景不可限量，无论是现有的SATA还是SAS接口都无法达到如此高的写入速度。

另外，这项技术的出现，也暗示着下一代SSD产品的发展之路将主要是在如何降低功耗方向。

CNBeta编译
原文：theinquirer