按原来的计划，身在以IBM为首的”fab club“中的三星公司今年会推出其采用gate-first工艺的high-k金属栅产品，他们将把这种工艺用在32/28nm制程节点上。不过，令人 感到意外的是，在下周即将召开的2010年IEEE国际电子设备大会上，三星准备演讲的文章题目竟然是《gate-last工艺high-k金属栅设 备》。演讲文章的提要中写道：“我们将介绍一种兼容与Gate last high-k金属栅极的漏源极应力记忆技术(SMT)。沟道应力的模拟方法则采用掩膜版边缘错位模型（mask-edge dislocation model ），应力测量方面采用拉曼光谱法。生成SMT时，则采用先对硅基体做低剂量，深度较大的离子注入，使硅基体非晶化（deep pre-amorphization-implant），然后再进行杂质的离子注入的方法，这种方法可以增强沟道的电子迁移率40-60%左右，驱动电流则可提升10%。“”

而就在不久前，三星还曾公开宣称他们计划在今年6月份将high-k工艺引入32nm节点，而且这种技术已经通过了验证，他们还宣称自己是首家拥有通过认证的high-k金属栅极技术的厂家，而这种技术按他们所宣称的内容看，依托的仍是gate-first工艺。

这两个情况结合在一起，人们不免会产生这样的逻辑推理，那就是三星在28nm制程节点很可能会转向gate-last工艺。

如果情况确实如此，那么三星在IBM的”fab club“中的地位就会有一点尴尬了，IBM阵营目前坚守的是gate-first工艺，同在这个联盟中的其它厂家还有 GlobalFoundries, NEC,意法半导体, 东芝等。

比较Intel而言，IBM联盟在发展HKMG工艺方面的时程表已经是大大落后了，Intel早在45nm时代便正式启用了HKMG技术（第一代HKMG为High-k first，gate-last工艺），现在Intel的HKMG已经进化到了32nm节点上的第二代（改为high-K last，gate last）。除了Intel之外，代工巨头台积电最近也表示将在28nm制程节点使用gate last工艺制作HKMG栅极。

CNBeta编译
原文：eetimes